星，SK入台积电海力士或在HBM为反超三艺3nm工4E上引

三星可以说是为反出尽了风头。SK海力士的超星HBM4性能却不如三星，于是海力有引入台积电3nm制程生产逻辑芯片的打算。SK海力士的士或上引营收市占率达57%，在HBM4E上将着重提升性能，入台远高于三星。积电 

在HBM4产品上，工艺

SK海力士在CES2026上展示的为反HBM4

据韩国《朝鲜日报》报道，SK海力士看着能不着急吗？超星

SK海力士才是海力HBM市场的老大。三星也是士或上引业内首个量产出货HBM4的公司，结结实实地抢了SK海力士的入台风头。三星都已经在英伟达GTC2026大会上秀出自己的积电HBM4E了，上3nm制程会是工艺必选项。考虑到英伟达下一代的为反顶级AI芯片Vera Rubin Ultra版本大概率会用到更先进的HBM4E，也决心提高自己产品的性能，SK海力士是英伟达的最大供应商。所以不管是3nm还是12nm制程都会被考虑进来。SK海力士如果不希望订单被三星抢走，去年第三季度，现在SK海力士看到自己落后了这么多，这使得他们有些尴尬，在目前“定制化HBM”风潮下，以夺回被三星抢走的风头。而三星和美光则分别只有22%和21%。而三星则是10nm级第六代（1c）DRAM工艺的核心芯片和4nm工艺的逻辑芯片，所以把稳定性和良率放在重点。但其实，因为他们提供给英伟达的HBM4采用10nm级第五代（1b）DRAM核心芯片和基于台积电12nm工艺的逻辑芯片，但在市场风评中，其拿下了英伟达HBM订单的至少2/3，但毕竟SK海力士要大批量供货，客户会选择根据自己的需求来定制逻辑芯片，从制程上就可以看出三星的HBM4性能会更优秀，

不过业内人士指出，SK海力士正在考虑引入台积电的3nm工艺作为HBM4E逻辑芯片的主要制造工艺，

在数据中心大量需要HBM内存的情况下，业内人士称，