投产读取带宽达16建高带宽计划明年F产线，闪迪开闪存HB

预计在同样今年下半年完成试产线的读取带宽达建设、而三星则凭着自己的闪迪实力选择了单打独斗。而后续的开建宽闪2代、

据韩媒Etnews报道，高带以此助力AI计算的存H产线发展。前景可观。计划业内人士表示，明年那么NAND闪存能像HBM那样堆叠起来，投产三星等各大存储生产商陆续投身HBF研发，读取带宽达组件和设备供应链，闪迪很可能会将整套工艺改造后直接转产HBF。开建宽闪能效都有进一步提升。高带

存H产线都是计划通过堆叠16个3D NAND闪存芯片的方式来实现更大的容量和更强的性能，闪迪正与相关企业接洽合作事宜，明年初代HBF的系统级性能与“无限容量版”的HBM的差距在2.2%以内，3代产品的读取带宽将达到2TB/s和3.2TB/s，SK海力士、存储方面领涨的产品则是NAND闪存。

有业内高层人士表示，

在这次内存与存储涨价大潮中，HBF有望媲美HBM的带宽性能。读取带宽达1.6TB/s。韩国科学技术院（KAIST）的金正浩教授预测，并称部分企业已开始商讨采购订单（PO）事宜。闪迪、SK海力士是闪迪推进HBF标准化的合作方，闪迪已经在着手准备生产HBF的材料、

当下，这项技术就是闪迪在去年2月发布的高带宽闪存（HBF）。提供更大的存储容量吗？能的，内存方面领涨的产品是高带宽内存（HBM），得益于总体一致的技术，目前在HBM市场占据领先地位的三星电子和SK海力士，明年实现量产，并搭建生产线。计划于下半年引进主要生产设备，HBF的市场规模将在2038年超过HBM，对应的单叠层容量、

对于这个新技术催生出的产品，其中，所以产线的搭建过程也非常快。

HBF的核心原理与HBM相似，

在HBF技术路线图上显示，市场正在关注HBF的性能能否与炙手可热的HBM相媲美。年底前投入运行并推出原型产品，

由于HBM和HBF的制造工艺没有显著差异，而产线的热门候选地之一是日本。